MOIP1000P光隔離探頭

MOIP1000P光隔離探頭是基于SigOFIT技術的光隔離探頭，擁有的共模抑制比和隔離電壓，在其帶寬范圍內洞見信號的全部真相，是判定其他電壓探頭所測信號真實性。此外，SigOFIT光隔離探頭采用先進的激光供電技術，解決了隔離供電的問題。

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詳細介紹

MOIP1000P光隔離探頭

真實的信號呈現

SigOFIT光隔離探頭具有的共模抑制比，在100MHz時CMRR高達128dB、在1GHz時CMRR仍然高達108dB，是判定其他電壓探頭所測信號真實性的裁判。

測試精度與穩定性

作為判定其他電壓探頭所測信號真實性，測試精度是SigOFIT光隔離探頭的重要指標。麥科信光隔離探頭，具有較佳的幅頻特性，直流增益精度優于1%，底噪小于0.45mVrms，預熱5min后零點漂移小于0.1%，增益漂移小于1%。

第三代半導體的理想測試手段

由于導通與關斷時間很短，信號具有更快的上升沿和下降沿，信號中具有很高能量的高頻諧波，SigOFIT的MOIP1000P光隔離探頭在高帶寬時，仍然具有超100dB的共模抑制比，可以地抑制高頻共模噪聲所產生的震蕩，所呈現的信號沒有額外多余成分，是第三代半導體測試的理想選擇。

測試氮化鎵（GaN）不炸管

SigOFIT光隔離探頭測試引線短且采用同軸傳輸，探頭輸入電容小于2.5pF，測試氮化鎵（GaN）十分安全。

測試量程更寬

不同于高壓差分探頭只可以測試高壓信號，SigOFIT 光隔離探頭，通過匹配不同的衰減器，可以測試 ±1.25V 至 ±2500V 的差模信號，并實現滿量程輸出，達到很高的信噪比。10X / 20X / 50X / 500X / 1000X / 2000X

產品參數

型號	MOIP100P	MOIP200P	MOIP350P	MOIP500P	MOIP800P	MOIP1000P
帶寬	100MHz	200MHz	350MHz	500MHz	800MHz	1GHz
上升時間	≤3.5ns	≤1.75ns	≤1ns	≤700ps	≤438ps	≤350ps
SMA 輸入阻抗	1MΩ \|\| 10pF	1MΩ \|\| 10pF	1MΩ \|\| 10pF	1MΩ \|\| 10pF	1MΩ \|\| 10pF	1MΩ \|\| 10pF
輸出電壓	±2.5V	±2.5V	±1.25V	±1.25V	±1.25V	±1.25V
測試電壓	1X：±2.5V 10X：±25V 20X：±50V 500X：±1250V 1000X：±2500V		1X：±1.25V 20X：±25V 50X： ±62.5V 1000X：±1250V 2000X：±2500V
供電	Type-C 接口，DC：5V
傳輸延遲	15.42ns（光纖長度 2 米）
直流增益精度	1%
共模電壓	60kVpk
光纖長度	2 米（光纖長度可定制）
底噪	<1.41mVrms